バンド構造
出典: Wikipedio
|
|
バンド構造(バンドこうぞう、Band structure)は、ポテンシャルや誘電率などの周期的構造によって生じる、波動（電子や電磁波など）に対する分散関係のことである。
- 電子バンド構造(Electronic band structure)
- 結晶中の電子に対するバンド構造で、ポテンシャルの周期的構造によって生じる。本項を参照。
- フォトニックバンド構造(Photonic band structure)
- フォトニック結晶中の電磁波に対するバンド構造で、誘電率の周期的構造によって生じる。フォトニックバンド構造を参照。
他にも、フォノニックバンド構造やプラズモニックバンド構造などがある。
電子バンド構造(Electronic band structure)は、結晶などの固体の中で、波として振舞う電子（価電子）に対するバンド構造のことである。
概要
[[ファイル:Si-band-schematics.PNG|thumb|right|250px|例：シリコン結晶のバンド曲線（概形）]] 結晶中ではイオン殻による周期的な電場によって、電子のとり得るエネルギーは、いくつかの帯状（バンド状）の領域に限られる。この領域をエネルギーバンドと呼び、電子が取ることの出来ないエネルギー領域をエネルギーギャップと呼ぶ。エネルギーバンド中にどのように電子が入っているかによって、その固体の電気伝導性や光学的特性などが決まる。また、バンド構造はバンド曲線、E-k曲線（E-k分散）、バンド分散などと呼ばれることもある。
バンド構造は通常、縦軸がエネルギー、横軸が第一ブリュアンゾーンの適当に選んだいくつかの直線上のk点となっている（系の持つ対称性に依存する）。各k点上に電子の取り得る固有状態（バンド）があり、これらが繋がって曲線をなしている（繋がり方も重要）。バンド構造を見ることにより、バンドギャップが空いているかどうか（つまり対応する系が金属かそうでないか）、バンドの分散が強いか弱いかによる電子状態の違い（分散が弱いと、そのバンドの電子はより束縛された状態となっている。強いと逆）、異なる系同士のバンド構造を比較することにより、系の安定性（どちらがより安定か）などの議論が可能である（注：バンド構造だけでは判断できない場合もある）。
[[ファイル:BandDiagram-Semiconductors-J.PNG|thumb|right|250px|半導体のバンド構造の模式図。Egがバンドギャップ（禁制帯）、その下の充満帯が価電子帯。禁制帯のすぐ上の空帯が伝導帯となる。]] 半導体（や絶縁体）においては、k空間を無視して、バンドギャップの周辺だけに注目した、より簡単な描写が良く用いられる。バンドギャップの項を参照。
電子のバンド構造と類似したものとして、フォノンによる分散曲線やフォトニックバンド構造などがある。なお、このような波数kと、対応するエネルギー固有値（固有エネルギー）εkとの関係を分散関係と言う。
関連項目
- バンド理論
- フォトニックバンド構造
- ゴーストバンド
- エネルギー分散(Energy dispersion→バンド分散)
- 第一原理バンド計算
Template:半導体ar:نطاق طاقة cs:Pásová struktura de:Bandstruktur en:Electronic band structure es:Teoría de bandas fa:نظریه نوارها fr:Théorie des bandes he:מבנה פסים id:Struktur pita elektronik it:Struttura elettronica a bande ko:띠구조 pl:Pasmowa teoria przewodnictwa pt:Teoria de bandas ru:Зонная теория uk:Зонна теорія zh:能带结构
